Hersteller Produktnummer:
TSM080N03EPQ56 RLG
Product Overview
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Teilenummer:
TSM080N03EPQ56 RLG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 55A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventar:
4381 Stück Neu Original Auf Lager
12898404
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TSM080N03EPQ56 RLG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
TSM080
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
TSM080N03EPQ56 RLGTR-DG
TSM080N03EPQ56RLGTR
TSM080N03EPQ56RLGCT
TSM080N03EPQ56 RLGCT
TSM080N03EPQ56 RLGDKR
TSM080N03EPQ56 RLGDKR-DG
TSM080N03EPQ56 RLGTR
TSM080N03EPQ56 RLGCT-DG
TSM080N03EPQ56RLGDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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